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                    力傳感器

                    單芯片力傳感器MEMS芯片上4個壓敏電阻構成惠斯通電橋結構,當外界有力作用在器件上,器件發生變形,壓敏電阻阻值隨之發生變化;由于電阻擺放位置的不同,壓敏電阻的阻值也相應的有不同的變化,惠斯通電橋產生模擬差分信號輸出。
                    所屬分類:
                    MEMS力傳感器
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                    產品編號
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                    產品描述
                    參數

                    產品特點:

                    單芯片力傳感器MEMS芯片上4個壓敏電阻構成惠斯通電橋結構,當外界有力作用在器件上,器件發生變形,壓敏電阻阻值隨之發生變化;由于電阻擺放位置的不同,壓敏電阻的阻值也相應的有不同的變化,惠斯通電橋產生模擬差分信號輸出。

                    集成式力傳感器在單顆封裝體內集成MEMS力傳感器芯片及信號處理ASIC芯片,ASIC實現信號放大、ADC轉換、信號處理,并且在有按壓動作時,在INT腳輸出中斷信號。集成式力傳感器在出廠前每顆器件都經過校準,保證輸出一致性;在整機應用時,通過I2C接口配置閾值寄存器,主控可以針對不同機型靈活設置不同的按壓閾值,同時也可以實現清零的功能,以消除裝配時的預壓力。

                    產品型號: 

                    產品型號 尺寸(mm) 靈敏度 輸出方式 安裝方式 是否需要橡膠墊
                    MST701 0.8x0.8x0.1 30 mV/N 模擬差分 單面貼裝/雙面固定

                    Yes/No

                     技術參數:

                    Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit
                    Supply Voltage VOP 2.9 3.3 3.7 V
                    Supply Current(2) IOP   500 800 mA
                    Contact Force FZ     100 N
                    Offset VOUT,0 -30   30 mV
                    Sensitivity SENS   30   mV/N
                    Temperature Coeff. Of Offset TCO   -0.1   %FS/°C
                    Temperature Coeff. Of Sensitivity TCS   2000   ppm
                    Response Time TRESP   5   ms
                    Linearity LIN   5%    
                    Repeatability REP   5%    
                    Operating Temperature TOP -20   70 °C

                     

                    關鍵詞:
                    傳感器
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                    未找到相應參數組,請于后臺屬性模板中添加
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